K2112A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: K2112A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO72

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для K2112A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

K2112A даташит

 9.1. Size:59K  1
 2sk2112.pdf pdf_icon

K2112A

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK2112 N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SK2112 is a N-channel MOS FET of a vertical type and PACKAGE DIMENSIONS (in mm) is a switching element that can be directly driven by the output of 4.5 0.1 an IC operating at 5 V. 1.6 0.2 1.5 0.1 This product has a low ON resistance and superb switching characteristics and is idea

 9.2. Size:941K  kexin
 2sk2112.pdf pdf_icon

K2112A

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET 2SK2112 1.70 0.1 Features VDS (V) = 100V ID = 1 A 0.42 0.1 0.46 0.1 RDS(ON) 0.8 (VGS = 10V) Drain (D) RDS(ON) 1.2 (VGS = 4V) 1.Gate 2.Drain Gate (G) Internal diode 3.Source Gate protection diode Source (S) Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 100

Другие транзисторы: K2109A, K2109B, K2110, K2110A, K2110B, K2111, K2111A, K2111B, S9014, K2112B, K2113A, K2113B, K2114A, K2114B, K2115, K2115A, K2115B