K2118 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: K2118  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO72

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для K2118

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

K2118 даташит

 0.1. Size:28K  hitachi
 2sk2118.pdf pdf_icon

K2118

2SK2118 Silicon N-Channel MOS FET ADE-208-1348 (Z) 1st. Edition Mar. 2001 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for Switching regulator, DC-DC converter,Motor Control Outline TO-220CFM 1 D 2 3 1. Gate G 2. Drain 3. Source S 2SK2118 Absolute Maximum Rat

 0.2. Size:213K  inchange semiconductor
 2sk2118.pdf pdf_icon

K2118

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2118 DESCRIPTION Drain Current I = 5A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 600V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators ,DC-DC converter,Motor Control ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain

Другие транзисторы: K2114B, K2115, K2115A, K2115B, K2116A, K2116B, K2117A, K2117B, BD135, K2118A, K2118B, K2119, K2119A, K2119B, K2120, K2120A, K2120B