K2127B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: K2127B  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1700 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO72

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для K2127B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

K2127B даташит

 9.1. Size:31K  panasonic
 2sk2127.pdf pdf_icon

K2127B

Power F-MOS FETs 2SK2127 2SK2127 Silicon N-Channel Power F-MOS Unit mm Features Avalanche energy capability guaranteed EAS > 130mJ 4.6 0.2 9.9 0.3 2.9 0.2 VGSS= 30V guaranteed 3.2 0.1 High-speed switching tf= 60ns No secondary breakdown 2.6 0.1 Applications 1.2 0.15 1.45 0.15 0.7 0.1 Non-contact relay 0.75 0.1 Solenoid drive 2.54 0.2 Motor driv

Другие транзисторы: K2125, K2125A, K2125B, K2126, K2126A, K2126B, K2127, K2127A, 2SC2240, K2501, K4-525, K9015, KC147, KC148, KC149, KC307A, KC307B