KC636 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KC636  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для KC636

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KC636 даташит

 ..1. Size:144K  tesla
 bc157vi-a bc158vi-a-b bc159a-b bc177v-vi-a-b bc178v-vi-a-b bc179a-b kc307a-b-v kc308a-b-c kc309f-b-c kc636 kc638 kc640 kf423 kf470 kf517.pdf pdf_icon

KC636

Другие транзисторы: KC308C, KC309B, KC309C, KC309F, KC507, KC508, KC509, KC510, D667, KC638, KC640, KC809, KC810, KC811, KCY36, KCY38, KCZ58