Биполярный транзистор 2N3877 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N3877
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO5
2N3877 Datasheet (PDF)
2n3711 2n3721 2n3827 2n3858 2n3858a 2n3859 2n3859a 2n3860 2n3877 2n3877a 2n3900 2n3900a 2n3901 2n3903 2n3904 2n3905.pdf
2n3879smd05.pdf
2N3879SMD05Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 7.54 (0.296)0.76 (0.030) Ceramic Surface Mount min.3.175 (0.125) 2.41 (0.095) Package for High 2.41 (0.095) Max. 0.127 (0.005)Reliability Applications 1 3Bipolar NPN Device. 2VCEO = 75V IC = 7A 0.127 (0.005)16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020)0.50 (0.020)All Semelab herm
2n3879smd.pdf
2N3879SMDDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89(0.035)min.Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142)3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max.Package for High Reliability Applications 1 3Bipolar NPN Device. 2VCEO = 75V IC = 7A 9.67 (0.381)All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369)0.50 (0.020)0.26 (0
2n3878.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2N3878DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for high speed switching and linear- amplifierapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNI
2n3879.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2N3879DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaLow Collector-Emitter Saturation Voltage100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operation.APPLICATIONSDesigned for high speed switching and linear- amplifierapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNI
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050