KN2907AS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KN2907AS

Маркировка: ZHA

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для KN2907AS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KN2907AS даташит

 ..1. Size:42K  kec
 kn2907as s.pdf pdf_icon

KN2907AS

SEMICONDUCTOR KN2907S/AS TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. E FEATURES L B L DIM MILLIMETERS Low Leakage Current _ + 2.93 0.20 A B 1.30+0.20/-0.15 ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V. C 1.30 MAX 2 Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05 E 2.40+0.30/-0.20 VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=150mA, IB=-15mA. 1 G

 7.1. Size:236K  kec
 kn2907 kn2907a.pdf pdf_icon

KN2907AS

 8.1. Size:38K  kec
 kn2907 a.pdf pdf_icon

KN2907AS

SEMICONDUCTOR KN2907/A TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B C FEATURES Low Leakage Current ICEX=-50nA(Max.) ; VCE=-30V, VEB=-0.5V. N DIM MILLIMETERS Low Saturation Voltage A 4.70 MAX E K VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-150mA, IB=-15mA. B 4.80 MAX G C 3.70 MAX D Complementary to the KN2222/2222A. D 0.45 E 1.00

Другие транзисторы: KM905, KM935, KN100, KN2222, KN2222AS, KN2222S, KN2907, KN2907A, A1015, KN2907S, KN3903, KN3903S, KN3904, KN3904S, KN3905, KN3905S, KN3906