Биполярный транзистор KN3906S - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KN3906S
Маркировка: ZAA
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT23
KN3906S Datasheet (PDF)
kn3906s.pdf
SEMICONDUCTOR KN3906STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. EFEATURES L B LDIM MILLIMETERS Low Leakage Current _+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=-50nA(Max.) ; @VCE=-30V, VEB=-3V.C 1.30 MAX2 Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-50mA, IB=-5mA.1G 1.
kn3906.pdf
SEMICONDUCTOR KN3906TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B CFEATURES Low Leakage Current: ICEX=-50nA(Max.), @VCE=-30V, VEB=-3V.N DIM MILLIMETERS Low Saturation Voltage A 4.70 MAXEK: VCE(sat)=-0.4V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA. B 4.80 MAXGC 3.70 MAXD Complementary to KN3904.D 0.45E 1.00F 1.27G 0.8
kn3904.pdf
SEMICONDUCTOR KN3904TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B CFEATURES Low Leakage Current: ICEX=50nA(Max.), @VCE=30V, VEB=3V.N DIM MILLIMETERS Low Saturation Voltage A 4.70 MAXEK: VCE(sat)=0.3V(Max.) @IC=50mA, IB=5mA. B 4.80 MAXGC 3.70 MAXD Complementary to KN3906.D 0.45E 1.00F 1.27G 0.85H 0
kn3904s.pdf
SEMICONDUCTOR KN3904STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. EFEATURES L B LDIM MILLIMETERS Low Leakage Current _+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=50nA(Max.) ; @VCE=30V, VEB=3V.C 1.30 MAX2 Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=50mA, IB=5mA.1G 1.90H
kn3905s.pdf
SEMICONDUCTOR KN3905STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. EFEATURES L B LDIM MILLIMETERSLow Leakage Current _+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=-50nA(Max.) ; @VCE=-30V, VEB=-3V.C 1.30 MAX2Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-50mA, IB=-5mA.1G
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050