KRA308 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRA308

Маркировка: PI

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для KRA308

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRA308 даташит

 0.1. Size:363K  kec
kra307-kra308.pdfpdf_icon

KRA308

SEMICONDUCTOR KRA307 KRA308 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors _ + A 2.00 0.20 D 2 Simplify Circuit Design _ + B 1.25 0.15 _ + C 0.90 0.10 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _

 9.1. Size:67K  kec
kra301e-kra306e.pdfpdf_icon

KRA308

SEMICONDUCTOR KRA301E KRA306E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES B DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors. _ + A 1.60 0.10 D Simplify Circuit Design. _ + 2 B 0.85 0.10 _ + C 0.70 0.10 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _

 9.2. Size:107K  kec
kra301v-kra306v 1.pdfpdf_icon

KRA308

SEMICONDUCTOR KRA301V KRA306V TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES B With Built-in Bias Resistors. Simplify Circuit Design. DIM MILLIMETERS 2 _ Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process. A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 High Packing Density. 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ D 0.3 + 0.05

 9.3. Size:87K  kec
kra307e-kra309e.pdfpdf_icon

KRA308

SEMICONDUCTOR KRA307E KRA309E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES B DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors _ + A 1.60 0.10 D Simplify Circuit Design _ + 2 B 0.85 0.10 _ + C 0.70 0.10 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _ High Pack

Другие транзисторы: KN4401S, KN4402, KN4402S, KN4403, KN4403S, KP055, KP100, KRA307, MJE340, KRA309, KS500, KS6101, KS6102, KS6103, KS6104, KS6105, KS6106