KRA309 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KRA309

Маркировка: PJ

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для KRA309

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KRA309 даташит

 ..1. Size:390K  kec
 kra309.pdf pdf_icon

KRA309

SEMICONDUCTOR KRA309 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES M B M DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors _ + A 2.00 0.20 D 2 Simplify Circuit Design _ + B 1.25 0.15 _ + C 0.90 0.10 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process 3 1 D 0.3+0.10/-0.05 _ + Hi

 0.1. Size:87K  kec
 kra307e-kra309e.pdf pdf_icon

KRA309

SEMICONDUCTOR KRA307E KRA309E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES B DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors _ + A 1.60 0.10 D Simplify Circuit Design _ + 2 B 0.85 0.10 _ + C 0.70 0.10 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _ High Pack

 0.2. Size:389K  kec
 kra307v-kra309v 1.pdf pdf_icon

KRA309

SEMICONDUCTOR KRA307V KRA309V TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES B With Built-in Bias Resistors Simplify Circuit Design DIM MILLIMETERS 2 _ Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process A 1.2 +0.05 _ B 0.8 +0.05 High Packing Density. 1 3 _ C 0.5 + 0.05 _ D 0.3 +

 0.3. Size:388K  kec
 kra307e-kra309e 1.pdf pdf_icon

KRA309

SEMICONDUCTOR KRA307E KRA309E TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION. INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION. E FEATURES B DIM MILLIMETERS With Built-in Bias Resistors _ + A 1.60 0.10 D Simplify Circuit Design _ + 2 B 0.85 0.10 _ + C 0.70 0.10 Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process 3 1 D 0.27+0.10/-0.05 _ H

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KN4402, KN4402S, KN4403, KN4403S, KP055, KP100, KRA307, KRA308, 2SC1815, KS500, KS6101, KS6102, KS6103, KS6104, KS6105, KS6106, KS6107