KSA1150G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSA1150G

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для KSA1150G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSA1150G даташит

 7.1. Size:40K  fairchild semi
 ksa1150.pdf pdf_icon

KSA1150G

KSA1150 Low Frequency Power Amplifier Collector Dissipation PC = 300mW Complement to KSC2710 TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -20 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Curr

 8.1. Size:65K  fairchild semi
 ksa1156.pdf pdf_icon

KSA1150G

KSA1156 High Voltage Switching Low Power Switching Regulator DC-DC Converter High Breakdown Voltage Low Collector Saturation Voltage High Speed Switching TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base PNP Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage - 400 V VCEO Collector-Emitter Volta

 9.1. Size:66K  fairchild semi
 ksa1142.pdf pdf_icon

KSA1150G

KSA1142 Audio Frequency Power Amplifier High Freqency Power Amplifier Complement to KSC2682 TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage - 180 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 180 V VEBO Emitter-Base Voltage - 5 V IC Collector Curren

 9.2. Size:41K  fairchild semi
 ksa1175.pdf pdf_icon

KSA1150G

KSA1175 Low Frequency Amplifier Collector-Base Voltage VCBO= -60V Complement to KSC2785 TO-92S 1 1.Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSA1013, KSA1013O, KSA1013R, KSA1013Y, KSA1142, KSA1142O, KSA1142Y, KSA1150, D209L, KSA1150O, KSA1150R, KSA1150Y, KSA1156, KSA1156N, KSA1156O, KSA1156R, KSA1156Y