KSA1614 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSA1614

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для KSA1614

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSA1614 даташит

 ..1. Size:47K  fairchild semi
 ksa1614.pdf pdf_icon

KSA1614

KSA1614 Low Frequency Power Amplifier Power Regulator Collector-Base Voltage VCBO = - 80V Collector Dissipation PC=20W (TC=25 C) TO-220F 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage - 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 55 V VEBO Emi

 ..2. Size:110K  inchange semiconductor
 ksa1614.pdf pdf_icon

KSA1614

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors KSA1614 DESCRIPTION With TO-220F package Collector-base voltage VCBO=-80V Collector dissipation PC=20W(TC=25 ) APPLICATIONS Power regulator Low frequency power amplifier PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol 3 Emitter Absolute max

 9.1. Size:45K  fairchild semi
 ksa1625.pdf pdf_icon

KSA1614

KSA1625 High Voltage Switch High Breakdown Voltage High Speed Switching TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base PNP Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage -400 V VCEO Collector-Emitter Voltage -400 V VEBO Emitter-Base Voltage -7 V IB Base Current -0.25 A IC Collector Current (D

 9.2. Size:88K  utc
 ksa1625.pdf pdf_icon

KSA1614

UTC KSA1625 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR FEATURES *Collector-Emitter voltage VCEO=-400V *Collector Dissipation Pc(max)=625mW 1 *Low collector-Emitter saturation voltage APPLICATIONS *Telephone switching *High voltage switch TO-92 1 EMITTER 2 COLLECTOR 3 BASE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Operating temperature range applies unless otherwise

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSA1381D, KSA1381E, KSA1381F, KSA1406, KSA1406C, KSA1406D, KSA1406E, KSA1406F, 2SD1047, KSA1614O, KSA1614R, KSA1614Y, KSA1625K, KSA1625L, KSA1625M, KSA473, KSA473O