Справочник транзисторов. KSB1097R

 

Биполярный транзистор KSB1097R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSB1097R
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для KSB1097R

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSB1097R Datasheet (PDF)

 7.1. Size:47K  fairchild semi
ksb1097.pdfpdf_icon

KSB1097R

KSB1097Low Frequency Power Amplifier Low Speed Switchng Industrial Use Complement to KSD1588TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage - 80 VVCEO Collector-Emitter Voltage - 60 VVEBO Emitter-Base Voltage - 7 VIC Collector Curre

 8.1. Size:46K  fairchild semi
ksb1098.pdfpdf_icon

KSB1097R

KSB1098Low Frequency Power Amplifier Low Speed Switchng Industrial Use Complement to KSD1589TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 100 V VEBO Emitter-Base Voltage - 7 V IC Collect

 9.1. Size:50K  fairchild semi
ksb1015.pdfpdf_icon

KSB1097R

KSB1015Low Frequency Power Amplifier Low Collector Emitter Saturation Voltage Complement to KSD1406TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage - 60 VVCEO Collector-Emitter Voltage - 60 VVEBO Emitter-Base Voltage - 7 VIC Collecto

 9.2. Size:51K  fairchild semi
ksb1017.pdfpdf_icon

KSB1097R

KSB1017Power Amplifier Applications Complement to KSD1408TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Silicon Epitaxial TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage - 80 VVCEO Collector-Emitter Voltage - 80 VVEBO Emitter-Base Voltage - 5 VIC Collector Current - 4 AIB Base Current - 0.4 APC Co

Другие транзисторы... KSB1017 , KSB1017O , KSB1017R , KSB1017Y , KSB1022 , KSB1023 , KSB1097 , KSB1097O , BC557 , KSB1097Y , KSB1098 , KSB1098O , KSB1098R , KSB1098Y , KSB1116 , KSB1116A , KSB1116AG .

 

 
Back to Top

 


 
.