KSB1116G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSB1116G

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для KSB1116G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSB1116G даташит

 7.1. Size:52K  fairchild semi
 ksb1116s.pdf pdf_icon

KSB1116G

KSB1116S Audio Frequency Power Amplifier & Medium Speed Switching TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base Voltage -6 V IC Collector Current (DC) -1 A ICP * Collector Curren

 7.2. Size:52K  fairchild semi
 ksb1116 a.pdf pdf_icon

KSB1116G

KSB1116/1116A Audio Frequency Power Amplifier & Medium Speed Switching Complement to KSD1616/1616A TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage KSB1116 -60 V KSB1116A -80 V VCEO Collector-Emitter Voltage KSB1116 -50 V KSB111

 9.1. Size:430K  fairchild semi
 ksb1121.pdf pdf_icon

KSB1116G

July 2005 KSB1121 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High Current Driver Applications Low Collector-Emitter Saturation Voltage Large Current Capacity Fast Switching Speed Complement to KSD1621 Marking 1 1 2 1 P Y W W SOT-89 1 Weekly code 1. Base 2. Collector 3. Emitter Year code hFE grage Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Pa

 9.2. Size:46K  fairchild semi
 ksb1149.pdf pdf_icon

KSB1116G

KSB1149 Low Collector Saturation Voltage Built-in Damper Diode at E-C High DC Current Gain High Power Dissipation PC=1.3W (Ta=25 C) TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base PNP Silicon Darlington Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 100 V VEB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSB1098O, KSB1098R, KSB1098Y, KSB1116, KSB1116A, KSB1116AG, KSB1116AL, KSB1116AY, 2SC4793, KSB1116L, KSB1116Y, KSB1121, KSB1121R, KSB1121S, KSB1121T, KSB1121U, KSB1149