KSB1330 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: KSB1330
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для KSB1330
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KSB1330 даташит
ksb1366.pdf
KSB1366 LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER Complement to KSD2012 TO-220F 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 60 V VEBO Emitter-Base Voltage - 7 V IC Collector Current(DC) - 3 A IB Base Current - 0.
ksb1366.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
ksb13003c.pdf
KSB13003C SEMIHOW REV.A0, January 2012 KSB13003C KSB13003C High Voltage Switch Mode Application High voltage, High speed power switching Suitable for Electronic Ballast up to 21W 1.5 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 1.1 Watts TO-92 CHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT 1. Base 2. Collector 3. E
ksb13003ar.pdf
KSB13003AR KSB13003AR SEMIHOW REV.A2,Oct 2007 KSB130 003AR KSB13003AR High Voltage Switch Mode Application High Speed Switching Suitable for Electronic Ballast up to 21W 150 Max Operating temperature 150 Max. Operating temperature 8KV ESD proof at HBM (C=100 , R=1.5 ) 1.5 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless
Другие транзисторы: KSB1149O, KSB1149R, KSB1149Y, KSB1150, KSB1151, KSB1151G, KSB1151O, KSB1151Y, SS8050, KSB1366, KSB1366G, KSB1366Y, KSB546, KSB546O, KSB546R, KSB546Y, KSB564
History: KSB1366G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015










