KSB546R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSB546R

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для KSB546R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSB546R даташит

 8.1. Size:59K  fairchild semi
 ksb546.pdf pdf_icon

KSB546R

KSB546 TV Vertical Deflection Output Collector-Base Voltage VCBO = -200V Collector Current lC = -2A Collector Dissipation PC= 25W (TC=25 C) Complement to KSD401 TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 200 V VCE

 8.2. Size:242K  onsemi
 ksb546.pdf pdf_icon

KSB546R

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие транзисторы: KSB1151O, KSB1151Y, KSB1330, KSB1366, KSB1366G, KSB1366Y, KSB546, KSB546O, A1013, KSB546Y, KSB564, KSB564A, KSB564AG, KSB564AO, KSB564AY, KSB595, KSB596