KSB906Y datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSB906Y  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для KSB906Y

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSB906Y даташит

 8.1. Size:66K  fairchild semi
 ksb906.pdf pdf_icon

KSB906Y

KSB906 Low Frequency Power Amplifier Low Collector- Emitter Saturation Voltage Complement to KSD1221 1 I-PAK 1. Base 2. Collector 3. Emitter PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage - 60 V VEBO Emitter-Base Voltage - 7 V IC Col

 9.1. Size:54K  fairchild semi
 ksb907.pdf pdf_icon

KSB906Y

KSB907 Power Amplifier Applications High DC Current Gain Low Collector-Emitter Saturation Voltage Built-in Damper Diode at E-C Darlington TR Complement to KSD1222 1 I-PACK 1. Base 2. Collector 3. Emitter PNP Silicon Darlington Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage - 60 V V

Другие транзисторы: KSB817, KSB817O, KSB817Y, KSB834, KSB834O, KSB834Y, KSB906, KSB906O, A1015, KSB907, KSC1008, KSC1008G, KSC1008R, KSC1008Y, KSC1009, KSC1009G, KSC1009R