Биполярный транзистор KSC1009Y - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSC1009Y
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: TO92
KSC1009Y Datasheet (PDF)
ksc1009.pdf
KSC1009High Voltage Amplifier High Collector-Base Voltage : VCBO=160V Collector Current : IC=700mA Collector Power Dissipation : PC=800mW Complement to KSA709 Suffix -C means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)TO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted S
ksc1008.pdf
September 2006KSC1008tmNPN Epitacial Silicon TransistorFeatures Low frequency amplifier medium speed switching. High Collector-Base Voltage : VCBO=80V. Collector Current : IC=700mA Collector Power Dissipation : PC=800mWTO-92 Suffix -C means Center Collector (1.Emitter 2.Collector 3.Base) Non suffix -C means Side Collector (1.Emitter 2.Base 3.C
ksc1008.pdf
ON SemiconductorIs NowTo learn more about onsemi, please visit our website at www.onsemi.comonsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2SA1015 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
