Биполярный транзистор KSC1173Y - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSC1173Y
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: TO220
KSC1173Y Datasheet (PDF)
ksc1173.pdf
August 2009KSC1173 NPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Low Frequency Power Amplifier, Power Regulator Collector Current : IC=3A Collector Dissipation : PC=10W (TC=25C) Complement to KSA473TO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings * TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units BVCBO Collector-Base Voltage 30 V BVC
ksc1187.pdf
KSC1187TV 1st, 2nd Picture IF Amplifier(Forward AGC) High Current Gain Bandwidth Product : fT=700MHz High Power Gain : GPE=24dB (TYP.) at f=45MHzTO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 VVCEO Collector-Emitter Voltage 20
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050