KSC1173Y datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSC1173Y  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для KSC1173Y

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSC1173Y даташит

 7.1. Size:248K  fairchild semi
 ksc1173.pdf pdf_icon

KSC1173Y

August 2009 KSC1173 NPN Epitaxial Silicon Transistor Features Low Frequency Power Amplifier, Power Regulator Collector Current IC=3A Collector Dissipation PC=10W (TC=25 C) Complement to KSA473 TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings * TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units BVCBO Collector-Base Voltage 30 V BVC

 9.1. Size:48K  fairchild semi
 ksc1187.pdf pdf_icon

KSC1173Y

KSC1187 TV 1st, 2nd Picture IF Amplifier (Forward AGC) High Current Gain Bandwidth Product fT=700MHz High Power Gain GPE=24dB (TYP.) at f=45MHz TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 20

Другие транзисторы: KSC1009R, KSC1009Y, KSC1070, KSC1072, KSC1096, KSC1098, KSC1173, KSC1173O, S9014, KSC1187, KSC1187O, KSC1187R, KSC1187Y, KSC1188, KSC1222, KSC1222G, KSC1222L