Справочник транзисторов. KSC1187O

 

Биполярный транзистор KSC1187O - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSC1187O
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для KSC1187O

 

 

KSC1187O Datasheet (PDF)

 7.1. Size:48K  fairchild semi
ksc1187.pdf

KSC1187O
KSC1187O

KSC1187TV 1st, 2nd Picture IF Amplifier(Forward AGC) High Current Gain Bandwidth Product : fT=700MHz High Power Gain : GPE=24dB (TYP.) at f=45MHzTO-9211. Emitter 2. Base 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 VVCEO Collector-Emitter Voltage 20

 9.1. Size:248K  fairchild semi
ksc1173.pdf

KSC1187O
KSC1187O

August 2009KSC1173 NPN Epitaxial Silicon TransistorFeatures Low Frequency Power Amplifier, Power Regulator Collector Current : IC=3A Collector Dissipation : PC=10W (TC=25C) Complement to KSA473TO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings * TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units BVCBO Collector-Base Voltage 30 V BVC

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 

Back to Top