Справочник транзисторов. KSC2335R

 

Биполярный транзистор KSC2335R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSC2335R
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

KSC2335R Datasheet (PDF)

 7.1. Size:52K  fairchild semi
ksc2335.pdfpdf_icon

KSC2335R

KSC2335High Speed, High Voltage Switching Industrial UseTO-2201NPN Epitaxial Silicon Transistor1.Base 2.Collector 3.EmitterAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 500 V V CEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 7 A ICP *Collector Current (Puls

 8.1. Size:40K  fairchild semi
ksc2331.pdfpdf_icon

KSC2335R

KSC2331Low Frequency Amplifier & Medium Speed Switching Complement to KSA931 High Collector-Base Voltage : VCBO=80V Collector Current : IC=700mA Collector Dissipation : PC=1WTO-92L11. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage

 8.2. Size:38K  fairchild semi
ksc2330a.pdfpdf_icon

KSC2335R

KSC2330AColor TV Chroma Output Collector-Base Voltage : VCBO=400V Current Gain Bandwidth Product : fT=50MHz (TYP.)TO-92L11. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage 400 VVCEO Collector-Emitter Voltage 400 VVEBO Emitter-Base Voltage 7

 8.3. Size:37K  fairchild semi
ksc2330.pdfpdf_icon

KSC2335R

KSC2330Color TV Chroma Output Collector-Base Voltage : VCBO=300V Current Gain Bandwidth Product : fT=50MHz (TYP.)TO-92L11. Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage 300 VVCEO Collector-Emitter Voltage 300 VVEBO Emitter-Base Voltage 7

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: CIL932 | 2SD1347S | NA11HG | 2N2786 | STSA1805 | CIL464C | 2SA695

 

 
Back to Top

 


 
.