Справочник транзисторов. KSC2710O

 

Биполярный транзистор KSC2710O Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSC2710O
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

KSC2710O Datasheet (PDF)

 7.1. Size:41K  fairchild semi
ksc2710.pdfpdf_icon

KSC2710O

KSC2710Low Frequency Power Amplifier Complement to KSA1150 Collector Dissipation : PC=300mWTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage 40 VVCEO Collector-Emitter Voltage 20 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector Current 5

 8.1. Size:59K  fairchild semi
ksc2715.pdfpdf_icon

KSC2710O

KSC2715FM RADIO AMP, MIX, CONV, OSC, IF AMP321 SOT-231. Base 2. Emitter 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 35 VVCEO Collector-Emitter Voltage 30 VVEBO Emitter-Base Voltage 4 VIC Collector Current 50 mAPC Collector Power Dissipation 150 mWTJ Juncti

 9.1. Size:77K  fairchild semi
ksc2755.pdfpdf_icon

KSC2710O

KSC2755RF AMP, FOR VHF &TV TUNER Low NF, High GPE3 Forward AGC Capability to 30 dB NF=2.0dB (TYP.), GPE=23dB (TYP.) at f=200MHz21 SOT-231. Base 2. Emitter 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 VVCEO Collector-Emitter Voltage 30 VVEBO Emit

 9.2. Size:40K  fairchild semi
ksc2785.pdfpdf_icon

KSC2710O

KSC2785Audio Frequency Amplifier & High Frequency OSC. Complement to KSA1175 Collector-Base Voltage : VCBO=60VTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emitter Voltage 50 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: KSD13003ER | BFR87B

 

 
Back to Top

 


 
.