Биполярный транзистор KSC2715R Даташит. Аналоги
Наименование производителя: KSC2715R
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO236
- подбор биполярного транзистора по параметрам
KSC2715R Datasheet (PDF)
ksc2715.pdf

KSC2715FM RADIO AMP, MIX, CONV, OSC, IF AMP321 SOT-231. Base 2. Emitter 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 35 VVCEO Collector-Emitter Voltage 30 VVEBO Emitter-Base Voltage 4 VIC Collector Current 50 mAPC Collector Power Dissipation 150 mWTJ Juncti
ksc2710.pdf

KSC2710Low Frequency Power Amplifier Complement to KSA1150 Collector Dissipation : PC=300mWTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings UnitsVCBO Collector-Base Voltage 40 VVCEO Collector-Emitter Voltage 20 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector Current 5
ksc2755.pdf

KSC2755RF AMP, FOR VHF &TV TUNER Low NF, High GPE3 Forward AGC Capability to 30 dB NF=2.0dB (TYP.), GPE=23dB (TYP.) at f=200MHz21 SOT-231. Base 2. Emitter 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 30 VVCEO Collector-Emitter Voltage 30 VVEBO Emit
ksc2785.pdf

KSC2785Audio Frequency Amplifier & High Frequency OSC. Complement to KSA1175 Collector-Base Voltage : VCBO=60VTO-92S11.Emitter 2. Collector 3. BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emitter Voltage 50 VVEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
History: FT4020 | KSC5029 | BD510-5 | CFD1499Q | SD451 | UMB6N | MRF911
History: FT4020 | KSC5029 | BD510-5 | CFD1499Q | SD451 | UMB6N | MRF911



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971