Биполярный транзистор KSC3503D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSC3503D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO126
KSC3503D Datasheet (PDF)
ksc3503 2sc3503.pdf
March 20082SC3503/KSC3503NPN Epitaxial Silicon TransistorApplications Audio, Voltage Amplifier and Current Source CRT Display, Video Output General Purpose Amplifier Features High Voltage : VCEO= 300V Low Reverse Transfer Capacitance : Cre= 1.8pF at VCB = 30VTO-1261 Excellent Gain Linearity for low THD1. Emitter 2.Collector 3.Base High Frequency:
ksc3503.pdf
KSC3503CRT Display, Video Output High Voltage : VCEO=300V Low Reverse Transfer Capacitance : Cre=1.8pF @ VCB=30VTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 300 V VCEO Collector-Emitter Voltage 300 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V
2sc3503 ksc3503.pdf
Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
