Справочник транзисторов. KSD1406

 

Биполярный транзистор KSD1406 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: KSD1406
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для KSD1406

 

 

KSD1406 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:46K  fairchild semi
ksd1406.pdf

KSD1406
KSD1406

KSD1406Low Frequency Power Amplifier Low Collector-Emitter Saturation Voltage Complement to KSB1015TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 VIC Collector Cu

 8.1. Size:49K  fairchild semi
ksd1408.pdf

KSD1406
KSD1406

KSD1408Power Amplifier Applications Complement to KSB1017TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 VIC Collector Current 4 AIB Base Current 0.4 APC Collector

 9.1. Size:48K  fairchild semi
ksd1417.pdf

KSD1406
KSD1406

KSD1417High Power Switching Applications High DC Current Gain Low Collector-Emitter Saturation Voltage Complement to KSB1022TO-220F11.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon Darlington TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Ba

 9.2. Size:119K  fairchild semi
ksd1413.pdf

KSD1406
KSD1406

Power Amplifier ApplicationsPower Amplifier ApplicationsPower Amplifier ApplicationsPower Amplifier Applications High DC Current Gain Low Collector- Emitter Saturation Voltage Complement to KSB1023TO-220F 1. Base 2. Collector 3. EmitterNPN Silicon Darlington TransistorNPN Silicon Darlington TransistorNPN Silicon Darlingt

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top