KSD1406. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KSD1406

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для KSD1406

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD1406 даташит

 ..1. Size:46K  fairchild semi
 ksd1406.pdf pdf_icon

KSD1406

KSD1406 Low Frequency Power Amplifier Low Collector-Emitter Saturation Voltage Complement to KSB1015 TO-220F 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Cu

 8.1. Size:49K  fairchild semi
 ksd1408.pdf pdf_icon

KSD1406

KSD1408 Power Amplifier Applications Complement to KSB1017 TO-220F 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 4 A IB Base Current 0.4 A PC Collector

 9.1. Size:48K  fairchild semi
 ksd1417.pdf pdf_icon

KSD1406

KSD1417 High Power Switching Applications High DC Current Gain Low Collector-Emitter Saturation Voltage Complement to KSB1022 TO-220F 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Silicon Darlington Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Ba

 9.2. Size:119K  fairchild semi
 ksd1413.pdf pdf_icon

KSD1406

Power Amplifier Applications Power Amplifier Applications Power Amplifier Applications Power Amplifier Applications High DC Current Gain Low Collector- Emitter Saturation Voltage Complement to KSB1023 TO-220F 1. Base 2. Collector 3. Emitter NPN Silicon Darlington Transistor NPN Silicon Darlington Transistor NPN Silicon Darlingt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSD1273, KSD1273O, KSD1273P, KSD1273Q, KSD1362, KSD1362N, KSD1362O, KSD1362R, A1015, KSD1406G, KSD1406O, KSD1406Y, KSD1408, KSD1408O, KSD1408R, KSD1408Y, KSD1413