KSD73O. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KSD73O

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для KSD73O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSD73O даташит

 9.1. Size:43K  fairchild semi
 ksd73.pdf pdf_icon

KSD73O

KSD73 Low Frequency High Power Amplifier Collector-Base Voltage VCBO = 100V Collector Current IC = 5A Collector Dissipation PC = 30W (TC=25 C) TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage

Другие транзисторы: KSD569, KSD569O, KSD569R, KSD569Y, KSD5740, KSD5741, KSD5742, KSD73, 9014, KSD73Y, KSD794, KSD794A, KSD794AO, KSD794AR, KSD794AY, KSD794O, KSD794R