KSE13009F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KSE13009F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 180 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для KSE13009F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSE13009F даташит

 ..1. Size:25K  samsung
 kse13009f.pdf pdf_icon

KSE13009F

KSE13009F NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATION TO-220F High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor Control ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 700 V Collector-Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter-Base Voltage VEBO 9 V Collector Current (DC) IC 12 A Collector Current (Pulse) IC 24

 7.1. Size:48K  fairchild semi
 kse13006,13007.pdf pdf_icon

KSE13009F

KSE13006/13007 High Voltage Switch Mode Application High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor Control TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage KSE13006 600 V KSE13007 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage KSE13006

 7.2. Size:47K  fairchild semi
 kse13003t.pdf pdf_icon

KSE13009F

KSE13003T High Voltage Switch Mode Applications High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor Control TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC C

 7.3. Size:465K  fairchild semi
 kse13003.pdf pdf_icon

KSE13009F

March 2008 KSE13003 NPN Silicon Transistor High Voltage Switch Mode Applications High Voltage Capability High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor Control TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base Absolute Maximum Ratings* TC = 25 C unless otherwise noted (notes_1) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSE13004, KSE13005, KSE13005F, KSE13006, KSE13007, KSE13007F, KSE13008, KSE13009, TIP120, KSE170, KSE171, KSE172, KSE180, KSE181, KSE182, KSE200, KSE210