KSH13003I datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KSH13003I  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 21 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO252

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для KSH13003I

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSH13003I даташит

 6.1. Size:23K  samsung
ksh13003.pdfpdf_icon

KSH13003I

KSH13003 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTOR D-PAK D-PACK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS High speed Switching Suitable for Switching Regulator Motor Control Straight Lead(I.PACK, I Suffix) 1 Lead Formed for Surface Mount Applications(No Suffix) 1. Base 2. Collector 3. Emitter ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit I-PAK

 6.2. Size:366K  semihow
ksh13003a.pdfpdf_icon

KSH13003I

KSH13003A KSH13003A SEMIHOW REV.A1,Jan 2008 KSH130 003A KSH13003A High Voltage Switch Mode Applications gg pp High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor Control 1.5 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 30 Watts TO-220 CHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT 1. Base 2. Collector Collector-Bas

 7.1. Size:141K  shantou-huashan
ksh13009w.pdfpdf_icon

KSH13003I

 7.2. Size:144K  shantou-huashan
ksh13005w.pdfpdf_icon

KSH13003I

Другие транзисторы: KSH112I, KSH117, KSH117I, KSH122, KSH122I, KSH127, KSH127I, KSH13003, MJE340, KSH200, KSH200I, KSH210, KSH210I, KSH29, KSH2955, KSH2955I, KSH29C