Биполярный транзистор KSH29CI - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KSH29CI
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO252
KSH29CI Datasheet (PDF)
ksh29c.pdf
KSH29/29CGeneral Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications Lead Formed for Surface Mount Application (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, - I Suffix) Electrically Similar to Popular TIP29 and TIP29CD-PAK I-PAK111.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Uni
ksh2955.pdf
KSH2955General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) Straight Lead (I-PAK, -I Suffix)D-PAK I-PAK11 Electrically Similar to Popular KSE2955T1.Base 2.Collector 3.Emitter DC Current Gain Specified to 10A High Current Gain - Bandwidth Product: fT =
ksh29.pdf
KSH29/29C NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORGENERAL PURPOSE AMPLIFIERD-PAKLOW SPEED SWITCHING APPLICATIONSD-PACK FOR SURFACE MOUNTAPPLICATIONSLoad Formed for Surface Mount Application(No Suffix)Straight Lead (I.ACK, - I Suffi x)1Electrically Similar to Popular TIP29 and TIP29C1. Base 2. Collector 3. EmitterABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating UnitI-PAK
ksh2955.pdf
KSH2955 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORGENERAL PURPOSE AMPLIFIERD-PAKLOW SPEED SWITCHING APPLICATONSD-PACK FOR SURFACE MOUNTAPPLICATIONS Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix) Straight Lead (I. PACK, -I Suffix) 1 Electrically Similar to Popular KSE2955 DC Current Gain Specified to 10A High Current Gain - Bandwidth Product :1. Base 2.
ksh2955.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor KSH2955DESCRIPTIONHigh DC current gainLead formed for surface mount applications(NO suffix)Straight lead(IPAK,Isuffix)DPAK for surface mount applications100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSGeneral purpose amplifier low speed switching applicat
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050