Справочник транзисторов. KSR1002

 

Биполярный транзистор KSR1002 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KSR1002
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для KSR1002

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSR1002 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:43K  samsung
 ksr1002.pdf pdf_icon

KSR1002

KSR1002 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=10 , R2=10 ) Complement to KSR2002ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 50 VCollector-Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter-Base Vo

 8.1. Size:42K  samsung
 ksr1008.pdf pdf_icon

KSR1002

KSR1008 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=47 , R2=22 ) Complement to KSR2008ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 50 VCollector-Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter-Base Vo

 8.2. Size:43K  samsung
 ksr1007.pdf pdf_icon

KSR1002

KSR1007 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=22 , R2=47 ) Complement to KSR2007ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 50 VCollector-Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter-Base Vo

 8.3. Size:42K  samsung
 ksr1006.pdf pdf_icon

KSR1002

KSR1006 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In)TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=10 , R2=47 ) Complement to KSR2006ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 50 VCollector-Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter-Base Vo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... KSP8097 , KSP8098 , KSP8099 , KSP8598 , KSP8599 , KSP92 , KSP93 , KSR1001 , A1941 , KSR1003 , KSR1004 , KSR1005 , KSR1006 , KSR1007 , KSR1008 , KSR1009 , KSR1010 .

History: 2SC3082 | GD241A | 2SA1648 | NST847AMX2 | 2SC430 | FTR158 | IMH14AFRA

 

 
Back to Top

 


 
.