KSR1011. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KSR1011
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для KSR1011
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KSR1011 даташит
ksr1011.pdf
KSR1011 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=22 ) Complement to KSR2011 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 40 V Collector-Emitter Voltage VCEO 40 V Emitter-Base Voltage VEB
ksr1012.pdf
KSR1012 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=47 ) Complement to KSR2012 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 40 V Collector-Emitter Voltage VCEO 40 V Emitter-Base Voltage VEB
ksr1010.pdf
KSR1010 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R=10 ) Complement to KSR2010 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 40 V Collector-Emitter Voltage VCEO 40 V Emitter-Base Voltage VEB
ksr1008.pdf
KSR1008 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=47 , R2=22 ) Complement to KSR2008 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter-Base Vo
Другие транзисторы: KSR1003, KSR1004, KSR1005, KSR1006, KSR1007, KSR1008, KSR1009, KSR1010, 13003, KSR1012, KSR1101, KSR1102, KSR1104, KSR1105, KSR1106, KSR1107, KSR1108
History: HS6015
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
d2390 datasheet | 2sa750 replacement | 2sc984 replacement | a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749 | c2577 transistor | k3563 transistor