KSR1107 - описание и поиск аналогов

 

KSR1107. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KSR1107

Маркировка: R07

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для KSR1107

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSR1107 даташит

 ..1. Size:54K  fairchild semi
 ksr1107.pdf pdf_icon

KSR1107

KSR1107 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1 =22K , R2=47K ) Complement to KSR2107 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R1 R07 B R2 NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted

 8.1. Size:49K  fairchild semi
 ksr1109.pdf pdf_icon

KSR1107

KSR1109 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R=4.7K ) Complement to KSR2109 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R09 R B NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter

 8.2. Size:53K  fairchild semi
 ksr1105.pdf pdf_icon

KSR1107

KSR1105 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1 =4.7K , R2=10K ) Complement to KSR2105 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R1 R05 B R2 NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted

 8.3. Size:52K  fairchild semi
 ksr1104.pdf pdf_icon

KSR1107

KSR1104 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1 =47K , R2=47K ) Complement to KSR2104 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit Marking C R1 R04 B R2 NPN Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSR1010, KSR1011, KSR1012, KSR1101, KSR1102, KSR1104, KSR1105, KSR1106, 2SC4793, KSR1108, KSR1109, KSR1110, KSR1111, KSR1112, KSR1113, KSR1114, KSR2001

 

 

 

 

↑ Back to Top
.