KSR2001. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KSR2001
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для KSR2001
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KSR2001 даташит
ksr2001.pdf
KSR2001 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7 , R2=4.7 ) Complement to KSR1001 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -50 V Collector-Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter-Bas
ksr2005.pdf
KSR2005 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=4.7K , R2=10K ) Complement to KSR1005 TO-92 1 1. Emitter 2. Collector 3. Base Equivalent Circuit C R1 B R2 PNP Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Va
ksr2008.pdf
KSR2008 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) TO-92 Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit Built in bias Resistor (R1=47 , R2=22 ) Complement to KSR1008 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -50 V Collector-Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter-Base
ksr2004.pdf
KSR2004 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCHING APPLICATION (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit TO-92 Built in bias Resistor (R1=47 , R2=47 ) Complement to KSR1004 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -50 V Collector-Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter-Base V
Другие транзисторы: KSR1107, KSR1108, KSR1109, KSR1110, KSR1111, KSR1112, KSR1113, KSR1114, TIP35C, KSR2002, KSR2003, KSR2004, KSR2005, KSR2006, KSR2007, KSR2008, KSR2009
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mj15025g | ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509