Справочник транзисторов. 2N4000

 

Биполярный транзистор 2N4000 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2N4000
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N4000

 

 

2N4000 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:11K  semelab
2n4000.pdf

2N4000

2N4000Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPN Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 80V dia.IC = 1A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1 3

 9.1. Size:11K  semelab
2n4001.pdf

2N4000

2N4001Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar NPN Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 100V dia.IC = 1A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1 3

 9.2. Size:1047K  wietron
2n4003k.pdf

2N4000
2N4000

2N4003K3 DRAINN-Channel Enhancement DRAIN CURRENTMode Power MOSFET10.5 AMPERES GATEP b Lead(Pb)-Free*DRAIN SOUCE VOLTAGE* Gate 30 VOLTAGE PretectionFeatures: DiodeSOURCE 2* Low Gate Voltage Threshold Vgs(th) to Facilitate Drive Circuit Design.* Low Gate Charge for Fast Switching.3* ESD Protected Gate.* Minimum Breakdown Voltage Rating of 30V.12

 9.3. Size:379K  willas
2n4003nlt1.pdf

2N4000
2N4000

FM120-M WILLASTHRU2N4003NLT1Small Signal MOSFET 30V,0.56A, Single, SOT-23FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200VSOD-123 PACKAGE Pb Free ProductPackage outlineFeatures Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance.SOD-123H Low profile surface mounted application in ord

 9.4. Size:114K  crystaloncs
2n4006 2n4007 2n4008 2n4009 2n4010 2n4011.pdf

2N4000

www.DataSheet.co.krDatasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/

Другие транзисторы... 2N3997 , 2N3997SM , 2N3998 , 2N3998SM , 2N3999 , 2N3999SM , 2N40 , 2N400 , BC548 , 2N4001 , 2N4002 , 2N4003 , 2N4004 , 2N4005 , 2N4006 , 2N4007 , 2N4008 .

 

 
Back to Top