2N4000 - описание и поиск аналогов

 

2N4000. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N4000

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N4000

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N4000 даташит

 ..1. Size:11K  semelab
 2n4000.pdf pdf_icon

2N4000

2N4000 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPN Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 80V dia. IC = 1A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3

 9.1. Size:11K  semelab
 2n4001.pdf pdf_icon

2N4000

2N4001 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) Bipolar NPN Device. 0.89 max. (0.035) 12.70 (0.500) min. 0.41 (0.016) 0.53 (0.021) VCEO = 100V dia. IC = 1A 5.08 (0.200) typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3

 9.2. Size:1047K  wietron
 2n4003k.pdf pdf_icon

2N4000

2N4003K 3 DRAIN N-Channel Enhancement DRAIN CURRENT Mode Power MOSFET 1 0.5 AMPERES GATE P b Lead(Pb)-Free * DRAIN SOUCE VOLTAGE * Gate 30 VOLTAGE Pretection Features Diode SOURCE 2 * Low Gate Voltage Threshold Vgs(th) to Facilitate Drive Circuit Design. * Low Gate Charge for Fast Switching. 3 * ESD Protected Gate. * Minimum Breakdown Voltage Rating of 30V. 1 2

 9.3. Size:379K  willas
 2n4003nlt1.pdf pdf_icon

2N4000

FM120-M WILLAS THRU 2N4003NLT1 Small Signal MOSFET 30V,0.56A, Single, SOT-23 FM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200V SOD-123 PACKAGE Pb Free Product Package outline Features Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance. SOD-123H Low profile surface mounted application in ord

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N3997, 2N3997SM, 2N3998, 2N3998SM, 2N3999, 2N3999SM, 2N40, 2N400, 2SD1047, 2N4001, 2N4002, 2N4003, 2N4004, 2N4005, 2N4006, 2N4007, 2N4008

 

 

 

 

↑ Back to Top
.