KSR2107 - описание и поиск аналогов

 

KSR2107. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KSR2107

Маркировка: R57

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 68

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для KSR2107

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KSR2107 даташит

 ..1. Size:53K  fairchild semi
 ksr2107.pdf pdf_icon

KSR2107

KSR2107 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1=22K , R2=47K ) Complement to KSR1107 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit C Marking R1 B R57 R2 PNP Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted

 8.1. Size:52K  fairchild semi
 ksr2101.pdf pdf_icon

KSR2107

KSR2101 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1 =4.7K , R2=4.7K ) Complement to KSR1101 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit C Marking R1 B R51 R2 PNP Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted

 8.2. Size:52K  fairchild semi
 ksr2104.pdf pdf_icon

KSR2107

KSR2104 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1=47K , R2=47K ) Complement to KSR1104 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit C Marking R1 B R54 R2 PNP Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted

 8.3. Size:53K  fairchild semi
 ksr2103.pdf pdf_icon

KSR2107

KSR2103 Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit 3 Built in bias Resistor (R1=22K , R2=22K ) Complement to KSR1103 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector Equivalent Circuit C Marking R1 B R53 R2 PNP Epitaxial Silicon Transistor E Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: KSR2012, KSR2012F, KSR2101, KSR2102, KSR2103, KSR2104, KSR2105, KSR2106, 13005, KSR2108, KSR2109, KSR2110, KSR2111, KSR2112, KSR2113, KSR2114, KST05

 

 

 

 

↑ Back to Top
.