KSR2112 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор KSR2112 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: KSR2112
   Маркировка: R62
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23

Аналоги (замена) для KSR2112

KSR2112 Datasheet (PDF)

..1. Size:33K samsung
ksr2112.pdf

8.1. Size:43K fairchild semi
ksr2111.pdf

KSR2111Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R=22K) Complement to KSR11112SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitCMarkingRR61 BPNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter V

8.2. Size:34K samsung
ksr2113.pdf