KSR2113 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор KSR2113 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: KSR2113
   Маркировка: R63
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 68
   Корпус транзистора: SOT23

Аналоги (замена) для KSR2113

KSR2113 Datasheet (PDF)

..1. Size:34K samsung
ksr2113.pdf

8.1. Size:43K fairchild semi
ksr2111.pdf

KSR2111Switching Application (Bias Resistor Built In) Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit3 Built in bias Resistor (R=22K) Complement to KSR11112SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorEquivalent CircuitCMarkingRR61 BPNP Epitaxial Silicon TransistorEAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter V

8.2. Size:61K samsung
ksr2110.pdf