KST1009F2 - описание и поиск аналогов

 

KST1009F2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KST1009F2

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для KST1009F2

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KST1009F2 даташит

 9.1. Size:44K  fairchild semi
 kst10.pdf pdf_icon

KST1009F2

KST10 VHF/UHF Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector Base Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 3 V PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG Storage Temperature 150 C RTH(j-a) Thermal Resis

 9.2. Size:386K  htsemi
 kst10.pdf pdf_icon

KST1009F2

KST10 TRANSISTOR (NPN) SOT 23 FEATURES VHF/UHF Transistor MARKING 3E1 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1. BASE Symbol Parameter Value Unit 2. EMITTER V Collector-Base Voltage 30 V CBO 3. COLLECTOR V Collector-Emitter Voltage 25 V CEO V Emitter-Base Voltage 3 V EBO I Collector Current 40 mA C PC Collector Power Dissipation 350 mW R Therma

Другие транзисторы: KSR2111, KSR2112, KSR2113, KSR2114, KST05, KST06, KST10, KST1009F1, BC556, KST1009F3, KST1009F4, KST1009F5, KST13, KST14, KST1623L4, KST1623L5, KST1623L6

 

 

 

 

↑ Back to Top
.