Биполярный транзистор KST1009F5 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KST1009F5
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 135
Корпус транзистора: TO236
Аналоги (замена) для KST1009F5
KST1009F5 Datasheet (PDF)
kst10.pdf
KST10VHF/UHF Transistor32SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector Base Voltage 30 VVCEO Collector-Emitter Voltage 25 VVEBO Emitter-Base Voltage 3 VPC Collector Power Dissipation 350 mWTSTG Storage Temperature 150 CRTH(j-a) Thermal Resis
kst10.pdf
KST10TRANSISTOR (NPN) SOT23 FEATURES VHF/UHF Transistor MARKING:3E1 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1. BASE Symbol Parameter Value Unit 2. EMITTER V Collector-Base Voltage 30 V CBO3. COLLECTOR V Collector-Emitter Voltage 25 V CEOV Emitter-Base Voltage 3 V EBOI Collector Current 40 mA CPC Collector Power Dissipation 350 mW R Therma
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050