KST5088. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KST5088
Маркировка: 1Q
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300
Корпус транзистора: TO236
Аналоги (замена) для KST5088
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KST5088 даташит
kst5088.pdf
KST5088/5089 3 Low Noise Transistor 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage KST5088 35 V KST5089 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage KST5088 30 V KST5089 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 4.5 V IC Collector Current 50 mA PC
kst5088.pdf
KST5088/5089 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW NOISE TRANSISTOR SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Cllector-Base Voltage VCBO KST5088 35 V KST5089 30 V Collector-Emitter Voltage VCEO KST5088 30 V KST5089 25 V Emitter-Base Voltage VEBO 4.5 V Collector Current IC 50 mA Collector Dissipation PC 350 mW Storage Temperature TSTG
kst5086 kst5087.pdf
KST5086/5087 Low Noise Transistor 3 2 SOT-23 1 PNP Epitaxial Silicon Transistor 1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base Voltage -3 V IC Collector Current -50 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG Storage Te
kst5086.pdf
KST5086/5087 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW NOISE TRANSISTOR SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Cllector-Base Voltage VCBO -50 V Collector-Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter-Base Voltage VEBO -3 V Collector Current IC -50 mA Collector Dissipation PC 350 mW Storage Temperature TSTG 150 1. Base 2. Emitter 3. Collector ELECTRICAL CHARA
Другие транзисторы: KST4124, KST4126, KST42, KST43, KST4401, KST4403, KST5086, KST5087, 2N5551, KST5089, KST5179, KST55, KST5550, KST56, KST63, KST64, KST6428
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet





