KST5088 - описание и поиск аналогов

 

KST5088. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KST5088

Маркировка: 1Q

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для KST5088

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KST5088 даташит

 ..1. Size:56K  fairchild semi
kst5088.pdfpdf_icon

KST5088

KST5088/5089 3 Low Noise Transistor 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage KST5088 35 V KST5089 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage KST5088 30 V KST5089 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 4.5 V IC Collector Current 50 mA PC

 ..2. Size:56K  samsung
kst5088.pdfpdf_icon

KST5088

KST5088/5089 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW NOISE TRANSISTOR SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Cllector-Base Voltage VCBO KST5088 35 V KST5089 30 V Collector-Emitter Voltage VCEO KST5088 30 V KST5089 25 V Emitter-Base Voltage VEBO 4.5 V Collector Current IC 50 mA Collector Dissipation PC 350 mW Storage Temperature TSTG

 8.1. Size:57K  fairchild semi
kst5086 kst5087.pdfpdf_icon

KST5088

KST5086/5087 Low Noise Transistor 3 2 SOT-23 1 PNP Epitaxial Silicon Transistor 1. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Collector-Emitter Voltage -50 V VEBO Emitter-Base Voltage -3 V IC Collector Current -50 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG Storage Te

 8.2. Size:51K  samsung
kst5086.pdfpdf_icon

KST5088

KST5086/5087 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW NOISE TRANSISTOR SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Cllector-Base Voltage VCBO -50 V Collector-Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter-Base Voltage VEBO -3 V Collector Current IC -50 mA Collector Dissipation PC 350 mW Storage Temperature TSTG 150 1. Base 2. Emitter 3. Collector ELECTRICAL CHARA

Другие транзисторы: KST4124, KST4126, KST42, KST43, KST4401, KST4403, KST5086, KST5087, 2N5551, KST5089, KST5179, KST55, KST5550, KST56, KST63, KST64, KST6428

 

 

 

 

↑ Back to Top
.