KT216V. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KT216V
Маркировка: КТ216В
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.075 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для KT216V
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KT216V даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: KT215A9, KT215B9, KT215D9, KT215E9, KT215G9, KT215V9, KT216A, KT216B, BD333, KT218A9, KT218B9, KT218D9, KT218E9, KT218G9, KT218V9, KT301, KT301A
History: 2SC3449M
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor
