KT306VM - описание и поиск аналогов

 

KT306VM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KT306VM

Маркировка: КТ306ВМ

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для KT306VM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT306VM даташит

 9.1. Size:979K  russia
kt306a-b-v-g-d 2t306a-b-v-g-d.pdfpdf_icon

KT306VM

Другие транзисторы: KT306AM, KT306B, KT306BM, KT306D, KT306DM, KT306G, KT306GM, KT306V, 13009, KT3101A-2, KT3101AM, KT3102A, KT3102AM, KT3102B, KT3102BM, KT3102D, KT3102DM

 

 

 

 

↑ Back to Top
.