Справочник транзисторов. KT3102E

 

Биполярный транзистор KT3102E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT3102E

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400

Аналоги (замена) для KT3102E

 

 

KT3102E Datasheet (PDF)

4.1. kt3102a-b-v-g-d-e.pdf Size:712K _russia

KT3102E

4.2. kt3102.pdf Size:198K _integral

KT3102E KT3102E

КТ3102 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в низкочастотных устройс

 5.1. kt3106a.pdf Size:721K _russia

KT3102E

5.2. kt3101a.pdf Size:779K _russia

KT3102E

 5.3. kt3109a-b-v.pdf Size:532K _russia

KT3102E

5.4. kt3107a-b-v-g-d-e-zh-i-k-l.pdf Size:806K _russia

KT3102E

 5.5. kt3104a-b-v-g-d-e.pdf Size:373K _russia

KT3102E

5.6. kt3108a-b-v.pdf Size:722K _russia

KT3102E

5.7. kt3107.pdf Size:142K _integral

KT3102E KT3102E

КТ3107 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор Назначение Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p усилительный транзистор в пластмассовом корпусе. Предназначен для использования

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top