KT3130G9. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KT3130G9

Маркировка: КТ3130Г9

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 400

 Аналоги (замена) для KT3130G9

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT3130G9 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: KT3129V9, KT312A, KT312B, KT312V, KT3130A9, KT3130B9, KT3130D9, KT3130E9, BD222, KT3130J9, KT3130V9, KT3132A-2, KT3132B-2, KT3132D-2, KT3132E-2, KT3132G-2, KT3132V-2