KT503D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KT503D

Маркировка: КТ503Д

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

 Аналоги (замена) для KT503D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT503D даташит

 9.1. Size:629K  russia
 kt503a-b-v-g-d-e.pdf pdf_icon

KT503D

Другие транзисторы: KT502A, KT502B, KT502D, KT502E, KT502G, KT502V, KT503A, KT503B, BC639, KT503E, KT503G, KT503V, KT504A, KT504B, KT504V, KT505A, KT505B