2N4076 - описание и поиск аналогов

 

2N4076. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N4076

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO59

 Аналоги (замена) для 2N4076

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N4076 даташит

 9.1. Size:135K  rca
2n407.pdfpdf_icon

2N4076

 9.2. Size:183K  inchange semiconductor
2n4070.pdfpdf_icon

2N4076

isc Silicon NPN Power Transistor 2N4070 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for general-purpose switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

Другие транзисторы: 2N4069, 2N407, 2N4070, 2N4071, 2N4072, 2N4073, 2N4074, 2N4075, TIP41, 2N4077, 2N4078, 2N408, 2N4080, 2N4081, 2N4086, 2N4087, 2N4087A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.