KT8127B. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KT8127B
Маркировка: КТ8127Б
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 56 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 35
Аналоги (замена) для KT8127B
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KT8127B даташит
Другие транзисторы: KT8124B, KT8124V, KT8125A, KT8125B, KT8125V, KT8126A, KT8127A, KT8127A-1, A1015, KT8127B-1, KT8127V, KT8127V-1, KT8129A, KT812A, KT812B, KT812V, KT8130A
History: 2SC2418
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor

