KT8150A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KT8150A

Маркировка: КТ8150А

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 115 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

 Аналоги (замена) для KT8150A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KT8150A даташит

 9.1. Size:696K  russia
 kt815a-b-v-g.pdf pdf_icon

KT8150A

 9.2. Size:211K  inchange semiconductor
 kt815a.pdf pdf_icon

KT8150A

isc Silicon NPN Power Transistor KT815A DESCRIPTION High Collector Current-I = 1.5A C High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 40V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

Другие транзисторы: KT8147B, KT8149A, KT8149A-1, KT8149A-2, KT814A, KT814B, KT814G, KT814V, TIP142, KT8150A-1, KT8150A-2, KT8154A, KT8154B, KT8155A, KT8155B, KT8156A, KT8156B