KT817V. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KT817V
Маркировка: КТ817В
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25
Аналоги (замена) для KT817V
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KT817V даташит
Другие транзисторы: KT8177A, KT8177B, KT8177V, KT817A, KT817B, KT817B2, KT817G, KT817G2, A1941, KT8181A, KT8181B, KT8182A, KT8182B, KT8183A, KT8183A-1, KT8183A-2, KT8183B
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mrf450 | oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906

