KT825D. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KT825D
Маркировка: КТ825Д
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750
Аналоги (замена) для KT825D
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KT825D даташит
Другие транзисторы: KT819B-1, KT819BM, KT819G, KT819G-1, KT819GM, KT819V, KT819V-1, KT819VM, 2SB817, KT825E, KT825G, KT826A, KT826B, KT826V, KT827A, KT827B, KT827V
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n

