KT830V. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KT830V
Маркировка: КТ830В
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Аналоги (замена) для KT830V
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KT830V даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: KT828V, KT829A, KT829B, KT829G, KT829V, KT830, KT830A, KT830G, BC547B, KT834A, KT834B, KT834V, KT835A, KT835B, KT837A, KT837B, KT837C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055 | irfp260n | 2n2222 datasheet
